二极管PN结

N型半导体:添加少量+5价磷,自由电子多,空穴少;主要靠自由电子导电。

P型半导体:添加少量+3价硼,自由电子少,空穴到多,主要靠空穴导电。

PN结:单向导电性。

PN结电流方程:

$$i = I_s (e^{ \frac{qu}{kT}} - 1)$$ $$= I_s (e^{ \frac{u}{U_t}} - 1)$$ (不包含反向击穿区域)

电击穿(一般来说可逆)

① 齐纳击穿:杂质浓度高,反向电压低(< 6V) ② 雪崩击穿:杂质浓度低,反向电压高(> 6v)

热击穿(不可逆)

由于过热导致PN结破坏。

手机上阅读

本文由 giao创作, 采用 知识共享署名4.0 国际许可协议进行许可
本站文章除注明转载/出处外,均为本站原创或翻译,转载前请务必署名
原文地址:《二极管PN结》

 最后一次更新于2018-09-27

0 条评论

添加新评论

Markdown is supported.