N型半导体：添加少量+5价磷，自由电子多，空穴少；主要靠自由电子导电。
P型半导体：添加少量+3价硼，自由电子少，空穴到多，主要靠空穴导电。
PN结：单向导电性。
PN结电流方程：
$$i = I_s (e^{ \frac{qu}{kT}} - 1)$$ $$= I_s (e^{ \frac{u}{U_t}} - 1)$$ (不包含反向击穿区域)
电击穿（一般来说可逆）
① 齐纳击穿：杂质浓度高，反向电压低（< 6V） ② 雪崩击穿：杂质浓度低，反向电压高（> 6v）
热击穿（不可逆）
由于过热导致PN结破坏。
最后一次更新于2018-09-27
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